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摘要:
为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字CMOS工艺上实现,设计了一类基于MOS电容的混沌随机数发生器,可以作为一个通用IP,用于SOC的设计.当电路工作时,用于电容设计的MOS管的栅极与衬底之间形成耗尽层,利用串联补偿方法提高电容的线性度.所设计的混沌随机数发生器已经在TSMC的0.25μm、标准的数字n阱COMS工艺进行流片,对芯片的测试工作也已完成,测试结果显示,生成的随机数具有良好的随机性能.
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流密码
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文献信息
篇名 混沌随机数发生器的设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 随机数发生器 混沌 MOS电容 开关电容
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2433-2439
页数 7页 分类号 TN432
字数 3842字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.031
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈海斌 浙江大学超大规模集成电路设计研究所 139 832 13.0 21.0
2 严晓浪 浙江大学超大规模集成电路设计研究所 246 1634 19.0 29.0
3 王云峰 浙江大学超大规模集成电路设计研究所 24 218 8.0 14.0
传播情况
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研究主题发展历程
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随机数发生器
混沌
MOS电容
开关电容
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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