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摘要:
采用真空蒸发-真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻-温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究
来源期刊 四川大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 VO2(B)薄膜 真空蒸发 真空退火
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 523-527
页数 5页 分类号 O484
字数 3204字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0490-6756.2005.03.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王静 四川大学物理科学与技术学院 127 649 13.0 21.0
2 林理彬 四川大学物理科学与技术学院 90 605 13.0 20.0
3 何捷 四川大学物理科学与技术学院 48 382 11.0 17.0
4 卢勇 四川大学物理科学与技术学院 27 243 8.0 14.0
5 尚东 四川大学物理科学与技术学院 5 70 2.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
VO2(B)薄膜
真空蒸发
真空退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川大学学报(自然科学版)
双月刊
0490-6756
51-1595/N
大16开
成都市九眼桥望江路29号
62-127
1955
chi
出版文献量(篇)
5772
总下载数(次)
10
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25503
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