SnS薄膜的制备及其特性研究

• 作者: 刘守智 李红生 胡永红 郑春蕊 雷天民
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化锡 薄膜 化学浴 氯化铵 表征
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TQ03|TN304
• 字数: 1836字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.02.004

摘要

以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜.用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征.XRD分析结果表明薄膜样品为具有斜方晶体结构的多晶SnS薄膜,SEM测量结果显示薄膜晶粒尺寸为数十纳米.此外,本文还简要分析了氯化铵在反应中的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷天民	西安理工大学电子工程系	17	78	5.0	8.0
2	刘守智	西安理工大学材料工程系	6	29	4.0	5.0
3	李红生	西安理工大学电子工程系	4	25	3.0	4.0
4	郑春蕊	西安理工大学电子工程系	3	24	3.0	3.0
5	胡永红	西安理工大学电子工程系	3	19	2.0	3.0