多层InAs量子点的光致发光研究

• 作者: 吴正云 孔令民 朱会丽 牛智川 蔡加法 陈厦平
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层InAs量子点 光致发光 时间分辨谱
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 519-522,526
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.06.014

摘要

采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱.结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性.实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6 meV,并且发光峰出现红移.原因可能在于InGaAs盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
4	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0
5	孔令民	厦门大学物理系	8	24	4.0	4.0
6	朱会丽	厦门大学物理系	4	31	3.0	4.0