P型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量

• 作者: 吴震 罗毅 薛松 韩彦军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓 比接触电阻率 传输线模型 圆形传输线模型
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 965-969
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.022

摘要

采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法--圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5.12×10-4Ω·cm2.