碳化硅非线性导电特性调控技术的研究

• 作者: 于开坤 宁叔帆 李鸿岩 郭磊 陈寿田 陈维
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: SiC 电阻率 非线性系数 起晕电压
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料研制
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TM21|TN3|O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2005.06.005

摘要

研究了 SiC非线性导电特性的影响因素,提出了调控其防电晕涂层非线性导电特性及起晕电压的新方法.结果表明通过控制 SiC微粉表面 SiO2含量、金属杂质含量、晶体中 C/Si元素比、掺入β -SiC、改变 SiC颗粒粒径及混合不同粒径 SiC等手段,可有效调控 SiC防电晕涂层的非线性导电特性,从而显著提高电机防电晕涂层的起晕电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁叔帆	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	15	210	8.0	14.0
3	于开坤	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	17	173	7.0	12.0
4	陈维	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	50	715	14.0	24.0
5	李鸿岩	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	12	363	9.0	12.0
8	郭磊	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	20	354	10.0	18.0