SnO2导电薄膜性能研究

• 作者: 杜军 杨志明 毛昌辉 熊玉华 王磊
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 导电性能 二氧化锡 薄膜 溅射 衬底温度
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 32-34,42
• 页数: 4页
• 分类号: TK51|O484.4
• 字数: 2923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2005.05.010

摘要

采用射频反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用AFM、XRD、XPS研究了薄膜的结构与表面化学组成对导电性能的影响,同时分析了衬底温度对薄膜导电性能的影响.结果表明:采用射频反应溅射制备的SnO2薄膜是具有(211)择优取向的多晶结构氧空位导电的n型半导体,衬底温度对于SnO2薄膜的微观结构和表面组成影响巨大,在低温衬底下制备的SnO2薄膜具有最佳的导电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	王磊		38	221	9.0	12.0
3	毛昌辉		60	564	12.0	21.0
4	熊玉华		20	94	7.0	8.0
5	杨志明		2	5	2.0	2.0