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摘要:
以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效.
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文献信息
篇名 大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 大功率 蓝光LED 白光LED 寿命试验 失效机理
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 87-91,127
页数 6页 分类号 TN312.8
字数 4877字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.02.002
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失效机理
研究起点
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22
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22967
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