GaN生长速率的研究

• 作者: 刘建平 张纪才 杨辉 赵德刚 金瑞琴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 在位监控 生长速率
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 726-729
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.018

摘要

采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	刘建平	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	31	301	11.0	15.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
4	张纪才	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	7	43	3.0	6.0
5	金瑞琴	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	25	2.0	2.0