TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现

• 作者: 张国义 明帆 林红斌 秦志新 胡成余 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 欧姆接触 GaN TiAl3合金 反应离子刻蚀 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 399-403
• 页数: 5页
• 分类号: O427.4
• 字数: 2828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.03.023

摘要

在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5 Ω*cm2.与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡成余		2	11	2.0	2.0
2	陈志忠		4	118	3.0	4.0
3	秦志新		4	96	3.0	4.0
4	明帆		1	2	1.0	1.0
5	林红斌		1	2	1.0	1.0