低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能

• 作者: 付浩 唐永柏 张铁邦 涂铭旌 滕保华 陈云贵
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 磁致冷材料 Gd5Si2Ge2 一级相变 磁热性能
• 年，卷（期）: 2005,（18）
• 所属期刊栏目: 快讯
• 页码范围: 2043-2045
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 2015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2005.18.021

摘要

以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd5Si2Ge2合金, 研究了低纯Gd5Si2Ge2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能.粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明, 经1200℃, 1 h退火处理后, 低纯Gd5Si2Ge2合金具有Gd5Si2Ge2型主相、在268 K存在一级磁晶相变.据磁相变温度附近的磁化曲线计算, 低纯Gd5Si2Ge2合金在5 T磁场变化下的最大磁熵变为17.55 J·Kg-1·K-1, 具有巨磁热效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂铭旌	四川大学材料科学与工程学院	451	5014	31.0	47.0
2	陈云贵	四川大学材料科学与工程学院	213	1410	18.0	30.0
3	唐永柏	四川大学材料科学与工程学院	70	586	13.0	22.0
4	张铁邦	四川大学材料科学与工程学院	16	67	4.0	7.0
5	付浩	四川大学材料科学与工程学院	24	175	5.0	12.0