衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响

• 作者: 刘钧锴 田凌 邓金祥 陈光华 陈浩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼 射频溅射 衬底温度 压应力
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2369-2373
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.019

摘要

用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.研究发现:衬底温度是立方BN薄膜成核的一个重要参数;要得到一定立方相体积分数的薄膜,成核阶段衬底温度有一个阈值,成核阶段衬底温度低于400℃,薄膜中没有立方相的存在;衬底温度为400℃时,薄膜中开始形成立方相;衬底温度达到500℃时,得到了立方相体积分数接近100%的薄膜,并且薄膜中立方相体积分数随着成核阶段衬底温度的升高而增加.还研究了成核阶段衬底温度对薄膜立方相红外吸收峰峰位的影响.结果显示:随着成核阶段衬底温度的升高,薄膜中立方相吸收峰峰位向低波数漂移,说明薄膜内的压应力随成核阶段衬底温度的升高而降低,薄膜中最小压应力为3.1GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘钧锴	北京工业大学材料学院	7	25	3.0	4.0
2	陈浩	北京工业大学应用数理学院	21	79	6.0	8.0
3	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
4	田凌	兰州大学物理学院	4	7	1.0	2.0
5	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0