MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究

• 作者: 常本康 杜晓晴 邹继军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 梯度掺杂 GaAs光电阴极 量子效率 激活
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 401-404
• 页数: 4页
• 分类号: TN223
• 字数: 3882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.06.001

摘要

本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2 μm～3 μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度.在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上.梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变.一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	邹继军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	24	279	11.0	15.0
4	杜晓晴	南京理工大学电子工程与光电技术学院	17	214	11.0	14.0