GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应

• 作者: 吴晓薇 郭子政 阎祖威
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 量子阱 内建电场 激发态极化 静压
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 分类号: O471
• 字数: 3890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.014

摘要

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别.在此基础上计算了GaN/GaAIN量子阱内电子的激发态极化.研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响.结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子政	内蒙古大学理工学院物理系	40	143	6.0	10.0
3	吴晓薇	内蒙古农业大学基础课部	16	115	5.0	10.0
6	阎祖威	内蒙古农业大学基础课部	2	16	2.0	2.0