LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计

• 作者: 王纪民 邓兰萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧 低功耗 自恢复 电平移位 LDMOS
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2028-2031
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.030

摘要

设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼容,采用标准0.5μmCMOS-LDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王纪民	清华大学微电子学研究所	12	56	4.0	6.0
2	邓兰萍	清华大学微电子学研究所	2	24	2.0	2.0