GaAs/InP低温晶片键合的研究

• 作者: 任晓敏 王兴妍 王琦 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 键合 GaAs/InP I-V曲线 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 512-514
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 2255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.06.012

摘要

将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380 ℃)晶片键合.并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信中心	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信中心	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信中心	59	282	10.0	12.0
4	王琦	北京邮电大学光通信中心	82	480	13.0	19.0
5	王兴妍	北京邮电大学光通信中心	12	89	7.0	9.0