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摘要:
以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAO-Recursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
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文献信息
篇名 (GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 Recursion方法 (GaN)n/(AlN)n 应变层超晶格 电子结构 缺陷能级
年,卷(期) 2005,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1934-1938
页数 5页 分类号 O471.5
字数 3120字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王玲玲 湖南大学应用物理系 74 732 15.0 23.0
2 邓辉球 湖南大学应用物理系 30 190 8.0 13.0
3 黄维清 湖南大学应用物理系 23 195 7.0 13.0
4 王怀玉 清华大学物理系 10 24 2.0 4.0
5 王新华 湖南大学应用物理系 4 29 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
研究起点
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
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大16开
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1980
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