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(GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构
(GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构
作者:
王怀玉
王新华
王玲玲
邓辉球
黄维清
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
摘要:
以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAO-Recursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
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光学性质
应变超晶格
紧束缚方法
内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
(GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构
来源期刊
半导体学报
学科
物理学
关键词
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
年,卷(期)
2005,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1934-1938
页数
5页
分类号
O471.5
字数
3120字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王玲玲
湖南大学应用物理系
74
732
15.0
23.0
2
邓辉球
湖南大学应用物理系
30
190
8.0
13.0
3
黄维清
湖南大学应用物理系
23
195
7.0
13.0
4
王怀玉
清华大学物理系
10
24
2.0
4.0
5
王新华
湖南大学应用物理系
4
29
2.0
4.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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(2)
1990(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1991(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1992(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1993(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1997(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1998(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1999(5)
参考文献(2)
二级参考文献(3)
2000(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2012(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2019(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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