常温下采用射频等离子体法合成碳化硅膜

• 作者: 宋巧丽 张家良 张鹏云 王德真
• 来源期刊: 真空
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅膜 射频等离子体 气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: O612.4|O484.1
• 字数: 3065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2005.02.007

摘要

采用射频等离子体增强的气相沉积法,以硅烷和乙烯为原料,在常温下成功的合成了碳化硅薄膜.对于该条件下合成的碳化硅薄膜的结构特征,采用SEM、TEM、XRD、IR等手段进行了分析;分析结果表明我们的样品是以碳硅键为主的薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张家良	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	33	282	9.0	16.0
2	王德真	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	44	399	13.0	18.0
3	宋巧丽	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
4	张鹏云	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	9	52	4.0	7.0