GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析

• 作者: 张忠卫 彭冬生 池卫英 涂洁磊 王亮兴 陈超奇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 I-V特性曲线 计算机模拟 界面扩散
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 192-195
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.050

摘要

分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂洁磊		2	7	2.0	2.0
5	王亮兴		7	173	4.0	7.0
6	张忠卫		11	192	5.0	11.0
7	池卫英		11	178	4.0	11.0
8	彭冬生		3	16	2.0	3.0
9	陈超奇		2	7	2.0	2.0