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摘要:
介绍一种L波段单级高线性低噪声放大器的工作原理和设计方法.与传统的接收机射频前端放大器主要考虑低噪声和高增益特性不同,文中选用了低成本、低功耗的SiGeNPN BJT器件设计高三阶交截点的低噪声放大器.设计中利用了微波CAD工具对电路进行仿真与优化,同时对生成的微带印刷电路板进行了电磁仿真.
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文献信息
篇名 高线性低噪声放大器设计
来源期刊 现代雷达 学科 工学
关键词 高三阶交截点 低噪声放大器 电磁仿真
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 收/发技术
研究方向 页码范围 87-90
页数 4页 分类号 TN957.54|TN72
字数 1926字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-7859.2005.12.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 魏念东 四川大学电子信息学院 2 9 1.0 2.0
2 陈会 四川大学电子信息学院 3 15 2.0 3.0
3 王登本 四川大学电子信息学院 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高三阶交截点
低噪声放大器
电磁仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代雷达
月刊
1004-7859
32-1353/TN
大16开
南京3918信箱110分箱
28-288
1979
chi
出版文献量(篇)
5197
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32760
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