Cu/Al比对p型透明导电铜铝氧薄膜性能的影响

• 作者: 周强 季振国 王超 赵丽娜 陈琛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 铜铝氧化物 p型导电 透明导电膜 沉淀法
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 515-518
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.06.013

摘要

采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应,在石英玻璃衬底上沉积了Cu/Al原子比不同的p型透明导电铜铝氧化物.XRD分析结果表明,样品的成分中包含黑铜矿结构的CuO、铜铁矿结构的CuAlO2、尖晶石结构的CuAl2O4和刚玉结构的Al2O3;X光能谱(EDAX)测试结果表明,样品中的Cu/Al比例随原料中Cu/Al比的增加而增加;导电类型测试表明,利用本方法制备的样品均是p型;电阻率测试表明,当Cu/Al原子比在1.0～1.5变化时试样的电阻率较低,而且电阻率变化不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	浙江大学硅材料国家重点实验室	48	467	12.0	19.0
2	王超	浙江大学硅材料国家重点实验室	77	1026	15.0	30.0
3	陈琛	浙江大学硅材料国家重点实验室	16	126	7.0	11.0
4	周强	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	351	12.0	15.0
5	赵丽娜	浙江大学硅材料国家重点实验室	14	82	7.0	9.0