Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长

• 作者: 冯玉春 张建宝 徐岳生 朱军山 李忠辉 胡加辉 郭宝平
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 Si(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 517-520
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.04.020

摘要

利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析.结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10-12)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 meV.