高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器

• 作者: 孙晓玮 王闯 钱蓉 顾建忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声 高增益放大器 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 786-789
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.030

摘要

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9～4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
2	钱蓉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	27	212	8.0	13.0
3	王闯	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	12	127	6.0	11.0
4	顾建忠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	53	3.0	7.0