介质阻挡放电等效电容变化规律的研究

• 作者: 孙岩洲 方志 王辉 邱毓昌
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 常压低温等离子体 介质阻挡放电 等效电容 李萨育图形
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TM215|TM205|O461
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2005.01.012

摘要

介绍了介质阻挡放电(DBD)的介质等效电容Cd和Cg气隙等效电容的测量方法.通过在实验室建立的产生DBD的实验装置,研究了放电过程中外加电压幅值、气隙距离、阻挡介质的厚度和介电常数等因素对Cd和Cg的影响,并对实验结果作了分析.结果表明,Cd随着外加电压的幅值和介质的介电常数增加而增加,随着气隙距离和介质厚度的增加而减小.Cg随着气隙距离和外加电压幅值的增大而减小,而受介质厚度、介质的介电常数的影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱毓昌	西安交通大学电气工程学院	228	4719	36.0	54.0
2	方志	西安交通大学电气工程学院	50	983	20.0	30.0
3	王辉	西安交通大学电气工程学院	93	983	16.0	27.0
4	孙岩洲	西安交通大学电气工程学院	19	426	11.0	19.0