全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

• 作者: 李瑞贞 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽SOI MOSFETs 表面势 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2303-2308
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.009

摘要

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	李瑞贞	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0