碳化硅非线性导电特性的研究进展

• 作者: 于开坤 刘斌 宁叔帆 李红岩 赵丽华 郭磊 陈寿田
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 碳化硅 电阻率 非线性系数 应用
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: TM303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2005.03.019

摘要

综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法,讨论了α-SiC和β-SiC的非线性导电特性及其影响因素.前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ 0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ 0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ 0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律 ,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响.