AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究

• 作者: 冯震 张志国 王勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 跨导特性 直流特性
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 49-51,56
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.12.016

摘要

报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3 μ m AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μ m器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA.对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件.同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志国	中电科集团公司第十三研究所	11	51	5.0	6.0
3	王勇	中电科集团公司第十三研究所	1	11	1.0	1.0
4	冯震	中电科集团公司第十三研究所	1	11	1.0	1.0