大功率GaN基LED的提取效率

• 作者: 伊晓燕 李晋闽 王国宏 王良臣 郭金霞 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基LED 提取效率 内量子效率 全反射
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 170-175
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 2966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.045

摘要

影响GaN基LED效率的主要因素是内量子效率和提取效率.蓝光GaN基的LED内量子效率可达70%以上,紫外GaN基LED可达80%,进一步改善的空间较小.而传统大面积结构GaN基LED由于全反射和吸收等原因,外提取效率只有百分之几,提高空间很大.本文从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED外提取效率的因素,针对全反射、吸收、横向光波导等问题总结了现有的各种提高GaN基LED提取效率的手段及其优缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
5	伊晓燕	中国科学院半导体研究所	11	52	4.0	7.0
6	郭金霞	中国科学院半导体研究所	4	8	2.0	2.0