GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究

• 作者: 万长兴 包军林 庄奕琪 李伟华 杜磊 马仲发
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 1/f噪声 红外发光二极管 涨落 氧化层陷阱
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 497-499,504
• 页数: 4页
• 分类号: TN36|TN386.1
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.010

摘要

在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1,在大电流区r≈2.建立了一个GaAlAs IRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果.基于该模型的分析表明,低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落.该研究结果为1/f噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据.