SiC/C薄膜的制备及其力学性能

• 作者: YOSHIDA T 王新华
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 SiC/C 硬度 力学性能
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 分类号: TQ163+.4|TB43
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2005.01.015

摘要

以SiC超细粉为原料、采用热等离子体物理气相沉积(TPPVD)技术快速制备出了高质量SiC/C薄膜,最大沉积速度达到225 nm/s,高于常规物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)法两个数量级.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线光电子谱对薄膜的形貌和微结构进行了观察和分析,并用纳牛力学探针测定了薄膜的力学性能.研究结果表明,向等离子体中导入CH4,SiC/C薄膜沉积速度增大,薄膜中C含量增加,薄膜断面呈现柱状结构.薄膜硬度和弹性模量随薄膜中C含量增加而降低,在接触深度为40 nm时由纳牛力学探针测得沉积薄膜的最大硬度达到38 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新华	浙江大学材料科学与工程系	55	287	10.0	13.0