基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制.
推荐文章
脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜
脉冲激光沉积系统
GaN材料
薄膜材料
沉积温度
沉积气压
室温下用脉冲激光沉积E-BN薄膜
E-BN薄膜
脉冲激光沉积
扫描电镜
红外吸收光谱
X射线衍射
脉冲激光沉积法制备VO_2热致变色薄膜研究进展
脉冲激光沉积
VO_2
薄膜
制备
掺杂
高功率紫外超短脉冲激光
超短脉冲
KrF激光
激光放大
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 AlN薄膜 KrF准分子脉冲激光沉积 微结构
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 1831-1833,1836
页数 4页 分类号 TN383
字数 2703字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.12.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱自强 华东师范大学信息学院 40 272 11.0 13.0
2 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 44 595 15.0 23.0
3 门传玲 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 8 68 6.0 8.0
4 陈韬 华东师范大学信息学院 3 48 2.0 3.0
5 丁艳芳 华东师范大学信息学院 5 16 2.0 4.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (6)
节点文献
引证文献  (11)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (11)
1987(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(3)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2005(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2007(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2008(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2009(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2010(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2011(4)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(3)
2012(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2013(6)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(3)
2014(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2016(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2017(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2020(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
AlN薄膜
KrF准分子脉冲激光沉积
微结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
论文1v1指导