非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

• 作者: 姚江宏 徐章程 贾国治 邓浩亮
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非对称双量子阱 光致荧光强度比 热逃逸 再俘获
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 753-756
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.012

摘要

非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合.利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性.研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差.光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系.