基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT

• 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 和致经 汪锁发 邵刚 陈晓娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT FC 倒扣 热阻
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 990-993
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.026

摘要

采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
6	邵刚	中国科学院微电子研究所	5	46	3.0	5.0
7	汪锁发	中国科学院微电子研究所	2	11	2.0	2.0