长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触

• 作者: 成彩晶 赵岚 赵鸿燕 鲁正雄
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 欧姆接触 接触电阻率
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 260-262
• 页数: 3页
• 分类号: TN219
• 字数: 1911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.03.019

摘要

碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4Ω cm2、8.95×10-4Ω·cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
2	赵鸿燕		25	147	7.0	11.0
3	成彩晶		12	22	3.0	3.0
4	赵岚		8	21	3.0	4.0