超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作

• 作者: 徐秋霞 王志玮
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅MOSFET 自对准 亚微米工艺 假栅
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 93-96,99
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2005.01.025

摘要

进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命.其中,双栅CMOS被认为是新结构中的首选.在制作平面型双栅MOS器件中,采用自对准假栅结构,利用UHV外延得到有源区(S、D、G),是一种制作自对准双栅MOSFET的有效手段.文章详细研究了一种假栅制作技术.采用电子束曝光,结合胶的灰化技术,得到了线宽为50 nm的胶图形,并用RIE刻蚀五层介质的方法,得到了栅长仅为50 nm的自对准假栅结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	王志玮	中国科学院微电子研究所	1	2	1.0	1.0