MOCVD生长的InGaN合金的发光特性

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 光致发光 F-P腔 受激辐射 折射率
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 602-606
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.009

摘要

研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性.样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发生蓝移.由于样品上下表面形成F-P腔,对发光谱产生强烈的调制,在较高强度激发下,在室温下带边峰分成三个峰,其中波长较短的两个发光峰表现出相同的特征,其发光机制可能为以In量子点为局域中心的局域化激子复合发光,而波长较长的发光峰,是一个超线性受激发光峰,其发光机制可能是电子-空穴等离子的散射.不同温度的PL谱表明两个主要的发光峰表现出不同的温度特征,利用F-P干涉理论分析可知,当温度高于120 K后样品折射率随着温度的升高而增大.