金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)

• 作者: 姚键全 张国义 王涛
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积外延(MOCVD) InGaN GaN 发光二极管 激光二极管 多量子阱
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 648-653,699
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 6005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.09.007

摘要

文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响,详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响,特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能;文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心	49	229	9.0	13.0
2	王涛		127	881	16.0	24.0
6	姚键全		1	4	1.0	1.0