MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析

• 作者: 潘飞蹊 陈星弼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反恢时间 温度稳定性 平均寿命
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 126-132
• 页数: 7页
• 分类号: TN303
• 字数: 3296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.026

摘要

对少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构的快恢复二极管进行了理论研究.首先利用MLD二极管n型基区内部少数载流子在横向上的分布形态,给出了MLD结构提高快恢复二极管的反恢时间-温度(trr-T)稳定性的一个定性解释,然后利用"平均寿命"对MLD二极管的trr-T特性进行了讨论.模拟结果证明了理论分析的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘飞蹊	电子科技大学微电子与固体电子学学院	5	58	4.0	5.0
2	陈星弼	电子科技大学微电子与固体电子学学院	31	254	8.0	15.0