移位损伤剂量模型及其应用

• 作者: 师立勤 张庆祥 张振龙 韩建伟 黄治
• 来源期刊: 空间科学学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 移位损伤 非电离能量损失 光电器件 电荷传输效率 暗电流
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 132-137
• 页数: 6页
• 分类号: P4
• 字数: 4751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6124.2005.02.009

摘要

首先描述了移位损伤的机理及其影响器件性能的机制,引入了适合航天器工程抗辐射加固设计使用的移位损伤剂量模型,探讨了其在CCD器件电荷传输效率CTE,Si器件平均暗电流以太阳电池阵输出功率等工程参数衰降中的应用,介绍了建立的基于移位损伤剂量模型的空间环境中CCD器件CTE衰降预测模式,其结果与欧空局空间环境信息系统的计算结果相吻合.该程序在光电器件抗辐射加固设计中具有重要的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建伟	中国科学院空间科学与应用研究中心	90	549	14.0	18.0
2	师立勤	中国科学院空间科学与应用研究中心	21	159	8.0	12.0
3	张振龙	中国科学院空间科学与应用研究中心	35	275	10.0	15.0
4	张庆祥	中国科学院空间科学与应用研究中心	9	87	5.0	9.0
5	黄治	中国科学院空间科学与应用研究中心	2	22	2.0	2.0