FinFET器件的集约阈电压模型

• 作者: 余志平 张大伟 田立林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FinFET器件 二维解析静电学分析 集约模型 阈电压
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 667-671
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 1196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.007

摘要

对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制作用,需要引入一个H系数来修正栅电容,随着高度不断变大,它渐近于双栅MOSFET器件的情况.由该解析模型得出的电势分布与数值模拟结果吻合.提出了一个包含量子效应的Fin-FET器件的集约阈电压模型,结果表明,当高度或者顶栅的氧化层厚度变小时,栅电容及阈电压都会上升,这与FinFET设计时发现的趋势是相符合的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张大伟	清华大学微电子学研究所	19	414	9.0	19.0
2	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
3	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0