二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响

• 作者: 刘顺华 李鹏 陈光昀
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 镍粉 渗滤阈值 二次渗滤现象 导电机理
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3332-3336
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.063

摘要

通过对镍粉填充RTV硅橡胶的电阻率的测量确定了镍基导电硅橡胶的渗滤值点.在此基础上添加不同含量的炭黑,发现了有别于单一导电填料填充两相体系的渗滤值规律,即二次渗滤现象.根据导电机理模型推测了二次渗滤现象产生的原因,并对实验结果进行了拟合.同时针对高导电硅橡胶的屏蔽性能,发现可用Schelkunoff理论较好地描述其屏蔽效果.结合二次渗滤现象,分析了其对屏蔽性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘顺华	大连理工大学材料科学与工程系	90	1573	21.0	34.0
2	李鹏	大连理工大学材料科学与工程系	64	526	14.0	20.0
3	陈光昀	大连理工大学材料科学与工程系	2	37	2.0	2.0