制备低团聚掺锑氧化锡超细粉体的新方法

• 作者: 吴湘伟 陈振华 黄培云
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 掺锑氧化锡 纳米导电粉体 团聚 脱水
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 颗粒制备
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2005.01.003

摘要

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,用醇盐水解法制备了纳米掺锑氧化锡(ATO)导电粉体.用正丁醇二甲苯的混合溶剂共沸蒸馏、有机脱水剂以及其它方法对前驱体胶态沉淀进行脱水处理,以消除粉体团聚.运用XRD、TEM、BET等手段对粉体进行表征,比较了各种脱水处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响.结果表明,混合溶剂共沸蒸馏处理以及有机脱水剂是比较有效的脱水方法,可以用来制备比表面积大(85.32m2·g-1)、团聚小、电阻率低的纳米ATO导电粉体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈振华	中南大学材料科学与工程学院	324	5465	34.0	57.0
5	黄培云	中南大学材料科学与工程学院	17	598	10.0	17.0
7	吴湘伟	中南大学材料科学与工程学院	9	126	5.0	9.0