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摘要:
研究表明事件相关电位是衡量皮质刺激过程的一种客观尺度,可在临床功能紊乱的一个很大范围内反映感知过程的变化.阐述事件相关电位在昏迷、轻度脑损伤注意力不足及记忆紊乱等方面的临床应用.
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P300
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脑卒中
偏瘫
事件相关电位
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文献信息
篇名 事件相关电位在脑损伤中的临床应用
来源期刊 国外医学(物理医学与康复学分册) 学科 医学
关键词 事件相关电位 脑损伤 记忆紊乱
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 综述与编译
研究方向 页码范围 73-76
页数 4页 分类号 R49|R651.1
字数 6171字 语种 中文
DOI 10.3870/j.issn.1001-117X.2005.02.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李玲 华中科技大学同济医学院附属协和医院传染科 115 502 12.0 18.0
2 白玲 华中科技大学同济医学院附属协和医院急诊科 3 13 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
事件相关电位
脑损伤
记忆紊乱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
神经损伤与功能重建
月刊
1001-117X
42-1759/R
大16开
武汉解放大道1095号(同济医院内)
38-47
1981
chi
出版文献量(篇)
3413
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4
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14927
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