掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

• 作者: 张利春 金海岩 高玉芝 黄伟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 镍硅化物 快速热退火 x射线衍射分析 卢瑟福背散射
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2252-2255
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.052

摘要

报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650-800℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64-0.66eV,理想因子接近于1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张利春	北京大学微电子研究院	18	48	4.0	5.0
2	黄伟	北京大学微电子研究院	36	105	6.0	8.0
3	高玉芝	北京大学微电子研究院	12	38	4.0	5.0
4	金海岩	北京大学微电子研究院	12	32	4.0	5.0