三漏CMOS磁敏开关的设计

• 作者: 丛锋 严利民 樊大伟 汪东旭
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁敏开关 三漏MOS晶体管 高灵敏度
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 53-54,57
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 1853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2005.01.021

摘要

介绍了一种新型的磁敏开关.它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上.该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T.由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严利民	上海大学微电子研究与开发中心	68	247	8.0	14.0
2	汪东旭	上海大学微电子研究与开发中心	3	3	1.0	1.0
3	樊大伟	上海大学微电子研究与开发中心	2	4	1.0	2.0
4	丛锋	上海大学微电子研究与开发中心	2	4	1.0	2.0