X波段宽带单片低噪声放大器

• 作者: 夏春晓 李芹 熊明珍 王志功
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 负反馈 噪声系数
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 211-214
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2005.02.015

摘要

从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14 GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2 μm GaAs PHEMT工艺(fT＝60 GHz)研制了芯片.在片测试结果为:在9～14 GHz,噪声系数＜2.5 dB,最小噪声系数在10.4 GHz为2.0 dB,功率增益在所需频段9～14 GHz大于21 dB,输入回波损耗＜-10 dB,输出回波损耗＜-6 dB.在11.5 GHz,输出1 dB压缩点功率为19 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	夏春晓	东南大学射频与光电集成电路研究所	14	82	5.0	8.0
3	熊明珍	东南大学射频与光电集成电路研究所	40	321	10.0	15.0
4	李芹	东南大学射频与光电集成电路研究所	10	76	6.0	8.0