分子电子器件中的单电子现象

• 作者: 朱道本 李洪祥 江浪 胡文平
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 关键词: 单电子现象 分子器件 双隧道结 库仑阻塞 库仑台阶
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 进展评述
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 字数: 4583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0441-3776.2005.01.001

摘要

单电子现象是低温物理学的一个重要研究领域.由于分子电子器件的超小电容结构,使得即使在室温下也能观察到单电子现象,引起了研究人员的广泛重视.本文介绍了单电子现象的基本物理原理,分析了一些分子电子器件中的单电子现象,并说明了分子电子器件中单电子现象的研究意义及其应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文平	中国科学院化学研究所分子科学中心有机固体重点实验室	28	237	9.0	15.0
2	朱道本	中国科学院化学研究所分子科学中心有机固体重点实验室	78	900	16.0	28.0
3	江浪	中国科学院化学研究所分子科学中心有机固体重点实验室	5	38	2.0	5.0
4	李洪祥	中国科学院化学研究所分子科学中心有机固体重点实验室	14	157	7.0	12.0