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摘要:
把雪崩电离模型引入受激布里渊散射模型中,数值模拟了无光学击穿和有光学击穿时受激布里渊散射能量反射率随输入光功率密度的变化规律.实验上选取净化和未净化的CCl4作为散射介质,在Nd:YAG调Q激光系统中进行了验证,理论与实验符合得很好.结果表明:当无光学击穿时,随着输入光功率密度的增大,能量反射率先是非线性增大,然后缓慢增大趋于饱和;而当有光学击穿时,随着输入光功率密度的增大,能量反射率先是非线性增大,达到最高值之后开始下降,最终趋于零.无光学击穿时的能量反射率及其稳定度明显高于有光学击穿时的情况.
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文献信息
篇名 光学击穿对受激布里渊散射特性的影响
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 受激布里渊散射 光学击穿 雪崩电离
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 唯象论的经典领域
研究方向 页码范围 5654-5658
页数 5页 分类号 O4
字数 4106字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕志伟 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 117 968 16.0 21.0
2 何伟明 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 65 561 13.0 16.0
3 李强 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 66 467 12.0 19.0
4 哈斯乌力吉 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 28 163 8.0 10.0
8 巴德欣 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 8 35 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
受激布里渊散射
光学击穿
雪崩电离
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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