高迁移率透明导电In2O3:Mo薄膜

• 作者: 华中一 张群 李喜峰 章壮健 缪维娜 黄丽
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺钼氧化铟(IMO)膜 直流磁控溅射 高载流子迁移率
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 142-145,149
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.02.015

摘要

用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响.获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4 Ω·cm,载流子迁移率高达50 cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%.X-ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性.分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	华中一	复旦大学材料科学系	51	348	11.0	15.0
2	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
3	李喜峰	复旦大学材料科学系	6	45	3.0	6.0
4	章壮健	复旦大学材料科学系	41	667	16.0	24.0
5	黄丽	复旦大学材料科学系	35	228	9.0	14.0
6	缪维娜	复旦大学材料科学系	4	32	3.0	4.0