快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1749-1752
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.013

摘要

用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的In-Ga原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).